Физика полупроводников Теория электрических цепей Основы теории электромагнитного поля

Элементы квантовой механики и физики атомов, молекул, твердых тел

Полупроводниковые триоды (транзисторы)

Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников (или металла с полупроводником) используется для выпрямления и преобразования переменных токов. Если имеется один электронно-дырочный переход, то его действие аналогично действию двухэлектродной лампы—диода. Поэтому полупроводниковое устройство, содержащее один р-п-переход, называется полупроводниковым (кристаллическим) диодом.

р-п-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести обратую связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов, или транзисторов. Они могут быть типа р-п-р и типа п-р-п в зависимости от чередования областей с различной проводимостью.

Для примера рассмотрим принцип работы плоскостного триода р-п-р, т.е. триода на основе п-полупроводника (рис. 15.14). Рабочие «электроды» триода, которыми являются база (средняя часть транзистора), эмиттер и коллектор (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводимости), включаются в схему с помощью невыпрямляющих контактов - металлических проводников.

Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение

Рис. 15.14.

подается на входное сопротивление Rвх , а усиленное - снимается с выходного сопротивления Rвых . Протекание тока в цепи змиттера обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их «впрыскиванием» - инжекцией - в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщине базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, всякое изменение тока в цени эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора.

Прикладывая между эмиттером и базой переменное напряжение, получим в цепи коллектора переменный ток, а на выходном сопротивлении — переменное напряжение. Величина усиления зависит от свойств р-п-переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи Бк. Обычно Rвых >> R вх, поэтому Uвых значительно превышает входное напряжение Uвх ( усиление может достигать 10000). Так как мощность переменного тока, выделяемая в Rвых, может быть больше, чем расходуемая в цени эмиттера, то транзистор дает и усиление мощности. Эта усиленная мощность появляется за счет источника тока, включенного в цепь коллектора.

Из рассмотренного следует, что транзистор, подобно электронной лампе, дает усиление и напряжения и мощности. Если в лампе анодный ток управляется напряжением на сетке, то в транзисторе ток коллектора, соответствующий анодному току лампы, управляется напряжением на базе.

Принцип работы транзистора п-р-п-типа аналогичен рассмотренному выше, но роль дырок играют электроны. Существуют и другие типы транзисторов, так же как и другие схемы их включения. Благодаря своим преимуществам перед электронными лампами (малые габаритные раз­меры, высокие КПД и срок службы, отсутствие накаливаемого катода (поэтому потребление меньшей мощности), отсутствие необходимости в вакууме и т. д.) транзистор совершил революцию в области электронных средств связи и обеспечил создание быстродействующих ЭВМ с большим объемом памяти.

Контактные и термоэлектрические явления по зонной теории

Работа выхода и термоэлектронная эмиссия

Поверхность металла удается покинуть только тем электронам проводимости, энергия которых оказывается достаточной для преодоления потенциального барьера, имеющегося на поверхности. Удаление электрона от наружного слоя ионов peшетки приводит к возникновению в том месте, которое покинул электрон, избыточного положительного заряда. Кулоновское взаимодействие с этим зарядом заставляет электрон, скорость которого не очень велика, вернуться обратно. В результате металл оказывается окруженным тонким облаком электронов. Это облако образует совместно с наружным слоем ионов двойной электрический слой. Силы, действующие на электрон в таком слое, направлены внутрь металла. Работа, совершаемая против этих сил при переводе электрона из металла наружу, идет на увеличение потенциальной энергии электрона.

Рис. 15.15.

Полная энергия электрона в металле слагается из потенциальной и кинетической энергий. При абсолютном нуле значения кинетической энергии электронов проводимости заключены в пределах от нуля до совпадающей с уровнем Ферми энергии Еmax. На рис. 15.15 энергетические уровни зоны проводимости «вписаны» в потенциальную яму. Для удаления за пределы металла разным электронам нужно сообщить неодинаковую энергию. Так, электрону, находящемуся на самом нижнем уровне зоны проводимости, необходимо сообщить энергию ЕР0; для электрона, находящегося на уровне Ферми, достаточна энергия ЕР0 - Еmax = ЕР0 - EF.

Наименьшая энергия, которую необходимо сообщить электрону для того, чтобы удалить его из твердого или жидкого тела в вакуум, называется работой выхода. Работу выхода принято обозначать через eφ, где φ — величина, называемая потенциалом выхода. Работа выхода электрона из металла определяется выражением

еφ = ЕР0 - EF

(15.9)

При повышении температуры часть электронов проводимости имеет энергию достаточную для преодоления потенциального барьера на границе металла. Испускание электронов нагретым металлом называется термоэлектронной эмиссией.

Этот эффект используется в электронных лампах, где катод разогревается до высоких температур. Измеряя вольт-амперную характеристику двухэлектродной лампы (катод, анод) при разных температурах катода и анодного напряжения можно исследовать термоэлектронную эмиссию.

Исходя из квантовых представлений, Дэшман получил (1923 г.) для тока насыщения формулу

Jнас = AT 2 exp(-eφ/kT)

(15.10)

Здесь eφ – работа выхода, А –константа. Температурный ход тока насыщения эта передает вполне удовлетворительно. Формула (15.10) называется формулой Ричардсона- Дэшмана.


Физика атомного ядра и элементарных частиц