История искусства История дизайна Начертательная геометрия Электротехника Расчет электрических цепей в SimulinkФизика Информатика Математика

Силовой модуль IGBT - новый перспективный элемент электроники. Он создан на основе комбинации биполярных транзисторов с полевыми. Статическая вольтамперная характеристика модуля может быть представлена в виде двух отрезков прямых (рисунок 4.38,а). горизонтальный участок - выключенное состояние модуля, наклонный - включенное. Наклон последнего задается сопротивлением устройства во включенном состоянии. Остаточное напряжение на малых токах учитывается параметром Vf (как у диода). Внутренняя структура модуля показана на рисунке 4.38,б.


Рисунок 4.38 - Вольтамперная характеристика и внутренняя структура модуля IBGT

Он представляет собой ключ, имеющий некоторое сопротивление и индуктивность (они вводятся в окне параметров блока) и управляющий элемент, который по сигналу пришедшему извне открывает или закрывает ключ. Результат моделирования приведен на рисунке 4.39.

Рисунок 4.39 - Ток нагрузки и широтно-модулированное напряжение на нагрузке


На главную